ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ

Авторы

  • Абдумухамед Худайбергенов Автор

Ключевые слова:

квантовых точек, транзистор, кристалл, Гетеропереходы и гетероструктуры.

Аннотация

В этой статье рассказывается о полевых транзисторах в квантовых ямах.

Библиографические ссылки

L.A.A.Warnes. «Diodes». Диссертация. London: Department of Electronic и Electrical Engineering Loughborough University of Technology, 1994 (цит. на с. 8, 10—12, 23).

Radha Setty. «MMIC Technologies: Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT)».IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques том 7, номер 5, (2021), с. 12 (цит. на с. 9, 12, 14—17, 21, 22, 25, 71).

Daniel M.Balazs и др. «Colloidal Quantum Dot Inks for Single-StepFabricated Field-Effect Transistors: The Importance of Postdeposition Ligand Removal». Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen (2018) (цит. на с. 15, 34—36).

Опубликован

2024-10-11

Выпуск

Раздел

Статьи

Как цитировать

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ. (2024). Молодые ученые, 2(27), 130-132. https://www.in-academy.uz/index.php/YO/article/view/28347
Innovative Academy RSC
Article metrics Views and PDF downloads
0 Views
0 Downloads