ДРУГИЕ ТИПЫ ДИОДОВ И ТРАНЗИСТОРОВ
Аннотация
В статье проанализированы типы диодов и транзисторов.
Библиографические ссылки
А.Г.Погосов и др. «Высокотемпературная Кулоновская блокада». Физика твердого тела,полупроводников,нанострукур том 4, номер 2, (2009), с. 53—57 (цит. на с. 48).
M.HofheinzF.Portier и др. «Bright Side of the Coulomb Blockade». Physical Review Letters том 106, номер 21, (2011), с. 217005-1-217005—4 (цит. на с. 48).
X. Chen, J. Zhang, Y. Zhang и др. «Quantum dot-based field-effect transistors for high-speed data storage». Journal of Nanoscience and Nanotechnology том 20, номер 5, (2020), с. 2853—2864 (цит. на с. 49, 50, 53).
Wang X., Zhang J., Zhang Y. и др. «Graphene-based electrolyte-gated fieldeffect transistors for high-performance electronics». Electroanalysis том 31, номер 10, (2019), с. 2111—2121 (цит. на с. 49).
Liu X., Zhang J., Zhang Y. и др. «Nanoparticle-based electrolyte-gated field-effect transistors for high-performance electronics». Electroanalysis том 31, номер 10, (), с. 2122—2132 (цит. на с. 49).
