ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ И КИНЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ОБРАЗОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ МАРГАНЦА НА КРЕМНИИ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

Main Article Content

Abstract:

В статье рассмотрены энергетические и кинетические особенности формирования силицидов марганца на кремнии при ионной имплантации с низкой дозой порядка 10^14ионов/см². Проведен анализ влияния дозы, энергии и температуры термообработки на фазовый состав и морфологию образуемых силицидных структур. Показано, что низкие дозы приводят к формированию нанокластеров и островковых структур, что существенно влияет на кинетику фазовых превращений и механизмы роста силицидов. Результаты исследования важны для разработки технологий формирования ультратонких силицидных слоев в микроэлектронике, где требуется высокая степень контроля над структурой и свойствами контактов

Article Details

How to Cite:

Эгамбердиев, Б., & Хасанова, Л. (2025). ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ И КИНЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ОБРАЗОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ МАРГАНЦА НА КРЕМНИИ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. Central Asian Journal of Education and Innovation, 4(9), 84–88. Retrieved from https://www.in-academy.uz/index.php/cajei/article/view/60619

References:

Риссел Х, Руге И. « Ионная имплантация». М.Наука 1983. С 360.

Лифшиц В.Г. «Электронная структура и силицидов образование в

тонких пленках пе реходных металлов на кремнии».Препринт. 1984,с.260.

Gerasimenko.N.N., Parkhomenko Yu.N. Silicon as material for

nanoelectronics//Technosfera, M. 2007.352P.

Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R.,

Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition

metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. –

V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.

Эгамбердиев Б.Э, Бахадырханов М.К, Абдугаббаров М.С «Свойства

поверхностных и приповерхностных слоев кремния, имплантированного

марганцем» Неорганические материалы РАН, 1995,Т.31,№ 3,С. 301-303.

Эгамбердиев Б.Э. «Электронно- спектроскопические исследования

физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно-

имплантированных слоев в кремнии ». Докторская диссертация – М, 2003,С

Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний-материал

наноэлектроники. М.: Техносфера,2007.352с.

Эгамбердиев Б.Э. , Маллаев А. С. Кремниевые силицидные

структуры на основе ионного легирования. Т.:изд. «Наука и технология»2019г. 168с.