ХОТИРА ЭЛЕМЕНТЛАРИДА АФН-ҚАТЛАМЛАРДАН ФОЙДАЛАНИШ
Vol. 2 No. 13 (2022): Eurasian Journal of Academic Research 390-395
Abstract
АФН ёрдамида яратиладиган асбобларда юқори қаршиликли мослаштирувчи звенолар, индикаторлар бўлиши талаб қилинади. Хозирги вақтда электр майдони таъсирида зарядларни ушлаб қолувчи қутбланувчи диэлектриклар ишлатилган МНОП- хотира элементлари кенг ва интенсив текширилмоқда. Қутбланувчи диэлектрик сифатида бу структураларда кадмий нитрид қатлами кенг фойдаланилади. Бундай хотира элементлари металл-нитрид-оксид-ярим ўтказгич (МНОП) системасидан иборат бўлиб, бу система маълумотларни электр зарядлари воситасида эслаб қолиш ва қайта фойдаланиш имконини беради.
Keywords:
References
Гильман Б.И. и др. Теория накопления заряда в МНОП-структурах//Микроэлектроника. 2003. Т.2.№3.стр.
Гиновкер А.С. и др. Запоминающее устройство на основе МНОП (металл-нитрид-окисил-полупроводник) – структур // Микроэлектроника. 1973.Т.2 №5. Стр.379
Курдова Л.Е и др. Проводимость пленок нитрида кремния (SiN4) в структурах металл-нитрид-кремния-окись кремния (МНОК) и металл-нитрид-кремния-кремний (МНК) // Микроэлектроника. 1974. Т.З. №4. Стр. 363.
Nurdinova R. A. et al. NEW ASPECTS OF APPLICATION OF ELEMENTS WITH ANOMALOUS PHOTOVOLTIC VOLTAGE //Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. – 2019. – Т. 1. – №. 4. – С. 7.
Найманбаев Р., Ирматов С.Х. Влияние поляризованного света на фотоэлектрические свойства в ФПГТ. НТЖ, ФерПИ, 2005. №3 с. ПО- 172
Readership
Downloads
Published
Issue
Section
How to Cite
