АНАЛИЗ БЕЙДЕРА КАК МЕТОД КОЛИЧЕСТВЕННОЙ ОЦЕНКИ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ ПРИМЕСНОГО АТОМА НИКЕЛЯ В КРЕМНИИ
Jild 5 son 9 (2026): Zamonaviy dunyoda tabiiy fanlar 113-115
Annotatsiya
Методом топологического анализа Бейдера исследовано перераспределение электронной плотности в системе Si₂₁₅Nisub. Установлено, что четыре ближайших к атому никеля атома кремния теряют порядка 0,33 e каждый. Показано, что связь Ni–Si имеет смешанный ковалентно-ионный характер, обусловленный гибридизацией Ni-3d и Si-3p орбиталей.
Kalit soʻzlar:
Iqtiboslar
Bader R. F. W. Atoms in Molecules: A Quantum Theory. Oxford: Clarendon Press, 1990. 7 c.
Henkelman G., Arnaldsson A., Jónsson H. A fast and robust algorithm for Bader decomposition of charge density // Comput. Mater. Sci. 2006. P. 354.
Tang W., Sanville E., Henkelman G. A grid-based Bader analysis algorithm without lattice bias // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. P. 084204.
Backlund D. J., Estreicher S. K. Ni in Si: Computational study // Phys. Rev. B. 2010.
Katayama-Yoshida H., Sato K. Physics of magnetic semiconductors using ab-initio disorder simulation // Physica B. 2003.
Korkusinski M. et al. Electronic structure of small impurity clusters in silicon // Phys. Rev. B. 2002.
Oʻquvchilar geografiyasi
Yuklab olishlar
Nashr qilingan
Son
Boʻlim
Iqtibos keltirish tartibi
